ELETRÔNICA INDUSTRIAL


Basicamente três dispositivos semicondutores são disponíveis para aplicações em eletrônica de potência: o diodo de potência, o transistor de potência e o tiristor. A respeito desses dispositivos avalie as questões que se seguem. Depois marque a resposta correta entre as alternativas disponíveis.

  1.  A diferença entre o diodo de potência/transistor de potência para um diodo de junção/transistor bipolar de junção está na capacidade de maior potência que os dispositivos de potência tem, suportando tensões e correntes maiores que os dispositivos convencionais de junção P-N.
  2. O funcionamento dos tiristores é semelhante aos dos diodos de potência, mas os diodos necessitam do disparo de um sinal de controle
  3. Os diodos de potência são utilizados em retificadores não controlados
  4. Os diodos de potência é formado por uma junção PN, onde o terminal associado a junção P é o catodo e o terminal associado a junção N é o anodo
  5. O diodo de potência pode ser utilizado como uma chave eletrônica porque conduz quando diretamente é polarizado e corta quando é  reversamente polarizado
É correto o que se afirma em

1, 3, 4 e 5 apenas


3, 4 e 5 apenas


1 e 2 apenas


1, 3 e 5 apenas


1, 2 e 5 apenas

Um transformador elétrico tem N1 = 200 espiras e N2 = 400 espiras. Aplicando-se uma tensão V1 = 120V. Assinale a alternativa que corresponde  ao valor de V2:


220V


260V


250V


230V


240V

A indústria de biscoito de uma cidade do interior foi notificada pela concessionária de energia devido ao baixo fator de potência que, pela segunda vez consecutiva, esteve no valor de 0,85. O engenheiro eletricista foi procurado para solucionar o problema. Verificando que a potência de alimentação é de 112,5 kW, quais os valores de Potência Reativa e Potência Aparente, respectivamente, foram encontrados pelo engenheiro para esse valor de fator de potência?


125,32kVA e 171,69kVAr.


135,32kVA e 71,69kVAr.


69,71kVAr e 132,35kVA.


132,35kVA e 69,71kVAr.


71,69kVAr e 135,32kVA.

Um retificador trifásico de meia onda alimenta uma carga puramente resistiva de 12 Ω. As tensões de linha que alimentam o retificador são descritas por:

                                                              vab(t) = 311,13cos(377t)

                                                              vbc(t) = 311,13cos(377t+120o)

                                                              vca(t) = 311,13cos(377t+240o)

Para esse sistema, avalie as afirmações que seguem e marque a resposta correta entre as alternativas disponíveis

  1. A tensão média na carga é igual a 127 V
  2. A corrente média na carga é menor que 12 A
  3. a corrente média que cada diodo conduz é menor que 5 A
É correto o que se afirma em 



1 e 2, apenas


2 e 3, apenas


1, apenas


3, apenas


2, apenas

Considere os dispositivos semicondutores que operam em regime chaveado, com estrutura de 4 camadas semicondutoras em uma sequência P-N-P-N, que apresentam um funcionamento biestável. Avalie entre as alternativas que se seguem os dispositivos que podem ser classificados com integrantes dessa família de semicondutores. 

I - SCR (Retificador Controlado de Silício) e LASCR (SCR ativado por luz)

II -TRIAC (tiristor triodo bidirecional)  e DIAC (tiristor diodo bidirecional) 

III - GTO (tiristor comutável pela porta) e  MCT (tiristor controlado por MOS)

IV - Diodo  e transistores  de potência


É correto o que se afirma em



I, III e IV apenas


I, II e IV apenas


III e IV apenas


I, II e III apenas


II, III e IV apenas

 

O circuito acima representa:


 Um circuito retificador de meia onda


Um circuito retificador de onda completa em ponte


Um circuito retificador de onda completa com derivação central


Um circuito integrado


Um circuito modulador

Para efetuar o controle da tensão no inversor, a técnica mais utilizada é a técnica de modulação por largura de pulso senoidal, como ilustrada na figura 1

 

figura 1 - Modulação PWM senoidal

 

 A respeito dessa técnica, avalie as afirmativas que se seguem, classifique em verdadeiras ou falsas e marque a resposta correta entre as alternativas apresentadas.

  1. Na modulação PWM senoidal, uma onda senoidal de referência é comparada com uma portadora triangular, gerando os pulsos de saída, cuja frequência depende da frequência do sinal de referência.

  2. Um pulso é gerado sempre que o sinal de referência for mais negativo que a portadora no semiciclo positivo ou mais positivo que a portadora no semiciclo negativo.

  3. A saída de tensão de inversor de frequência é um sinal alternado.

é correto o que se afirma em

1 apenas


2 apenas


3 e 2 apenas


3 e 1 apenas


2 e 1 apenas

O PWM é um modulador muito utilizado em fontes chaveadas, principalmente pelo fato de o transistor controlar a corrente na carga que funciona como uma chave e, portanto, ou está desligado (corrente nula) ou está ligado (corrente máxima). Porém o que significa PWM?


Modulação por Largura de Pico.


Modulação por Largura de Fase.


 N.d.a.


Modulação por Largura de Fenômeno.


Modulação por Largura de Pulso.

Existem alguns parâmetros típicos de tiristores (SCRs) e que caracterizam condições limites para sua operação. São eles:

I. Tensão direta de ruptura.

II. Máxima tensão reversa.

III. Máxima corrente de anodo.

IV. Máxima temperatura de operação.

Que podem ser representados, respectivamente, por:


VBO, VBR, Tj max; Ia max.


VBR, VBO, Ia max; Tj max.


VBO, Ia max; Tj max, VBR.


VBO, VBR, Ia max; Tj max.


N.d.a.

Nos retificadores não controlados, usando-se diodos convencionais, não é possível controlar o ângulo de disparo do dispositivo, pois nesses componentes não existe disponível o terminal gate, que permite essa ação. Consequentemente, o valor médio da tensão de saída tomada na carga depende da tensão secundária do transformador de alimentação, que é fixa e da classe do retificador. Quando se deseja variar o valor médio da tensão na carga em função do ângulo de disparo do dispositivo, independente da tensão secundária do transformador, usam-se retificadores controlados com um componente especial, que é denominado:

 


MOSFET


SCR


UJT


DIAC


BJT

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